IAUC120N06S5L032ATMA1 vs BSZ060NE2LSATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUC120N06S5L032ATMA1 מאת Infineon ו BSZ060NE2LSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IAUC120N06S5L032ATMA1 BSZ060NE2LSATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 (60 V) —
סוג טרנזיסטור N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_j) 120 A —
R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) 3.2 mOhm —
Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) 94 W —
מארז PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C (T_j) -55C to +150C
Technology OptiMOS 5 Trench OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET)
AEC-Q101 Qualified Yes —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge Q_G [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] —
Part Number — BSZ060NE2LSATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 44 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 44 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 26 W
Shipping Packaging — Tape & Reel

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר