IAUC120N06S5L032ATMA1 vs BSZ060NE2LSATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N06S5L032ATMA1 제조: Infineon 및 BSZ060NE2LSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUC120N06S5L032ATMA1 | BSZ060NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.82 | $0.27 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 (60 V) | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | 120 A | — |
| R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) | 3.2 mOhm | — |
| Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) | 94 W | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C (T_j) | -55C to +150C |
| Technology | OptiMOS 5 Trench | OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] | — |
| Total Gate Charge Q_G | [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] | — |
| Part Number | — | BSZ060NE2LSATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 44 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 44 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 6 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 26 W |
| Shipping Packaging | — | Tape & Reel |