IAUC120N06S5N032ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUC120N06S5N032ATMA1 מאת Infineon ו IPC50N04S5L5R5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUC120N06S5N032ATMA1 IAUC120N06S5N032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N032ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IAUC120N06S5N032ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 94 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.2 mOhm —
Gate Charge (Qg) typ 47 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Technology OptiMOS-5 N-Channel —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C (Tj) -55 °C to +175 °C
מארז PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount (Tape and Reel) Surface Mount
מספר פינים 8 —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Gate Resistance (Rg) [DATA_NEEDED: Rg] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
סטטוס RoHS Compliant —
רמת MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free Yes —
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר