IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUA220N08S5N021AUMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN08S7L033ATMA1 מאת Infineon ו IAUA220N08S5N021AUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUA220N08S5N021AUMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUCN08S7L033ATMA1 | IAUA220N08S5N021AUMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | Automotive OptiMOS 7 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.3 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 130 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 118 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +175°C (TJ) | -55C to +175C (Tj) |
| מארז | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) | PG-HSOF-5-4 (7x8 mm²) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) | — |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS-5 (75V-120V family) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 220 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)) | — | 2.1 mΩ at 10 V V_GS |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 211 W |
| Gate-Source Voltage (V_GS max) | — | [DATA_NEEDED: V_GS max absolute rating] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: Q_g typical at V_GS=10V] |
| Output Capacitance (C_oss) | — | [DATA_NEEDED: C_oss typical] |
| Thermal Resistance (R_thJC) | — | [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] |