IPB019N08N3GATMA1 vs IRF4905LPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB019N08N3GATMA1 מאת Infineon ו IRF4905LPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPB019N08N3GATMA1 | IRF4905LPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 180 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5 V | — |
| Drive Voltage (Rds On Max) | 6 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V | 206 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 14.2 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 3.84 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 3.84 nF | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| מארז | PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) | TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Through Hole |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | — | -74 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V | — | 20 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C | — | 200 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +150C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC value] |
| Rise Time (tr) typ | — | [DATA_NEEDED: rise time] |
| Fall Time (tf) typ | — | [DATA_NEEDED: fall time] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PbF suffix) |
| Avalanche Rated | — | Yes |