IPB024N10N5ATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB024N10N5ATMA1 מאת Infineon ו BSC070N10NS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPB024N10N5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Technology OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 180 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 250 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] [DATA_NEEDED: typical Qg]
Input Capacitance Ciss [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Output Capacitance Coss [DATA_NEEDED: Coss value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C (junction) —
מארז PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
נטול הלוגנים Yes (per Infineon product family policy) —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 80 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Power Dissition at TC=25C (Ptot) — 83 W
Power Dissipation at TA=25C — 2.5 W
טווח טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Typical Application — Synchronous rectification in SMPS

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר