IPD082N10N3GATMA1 vs IPD70N10S3L12ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD082N10N3GATMA1 מאת Infineon ו IPD70N10S3L12ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 - 100V 70A OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPD70N10S3L12ATMA1 - 100V 70A OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPD70N10S3L12ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPD082N10N3GATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 180 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55°C to +175°C —
מארז / Case PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Drain, Gate, Source + tab)
סטטוס RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow)
Product Family — OptiMOS-T
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 70 A
Power Dissipation (Ptot, Tc) — 125 W
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 11.5 mΩ
טווח טמפרטורת פעולה — -55 °C to +175 °C (junction)
מארז — PG-TO252-3-11 (DPAK)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Rating — 100 % avalanche tested
Avalanche Energy (Single Pulse) — [DATA_NEEDED: EAS value]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר