IPD30N06S2L13ATMA4 vs IPD30N08S2L21ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD30N06S2L13ATMA4 מאת Infineon ו IPD30N08S2L21ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD30N06S2L13ATMA4 | IPD30N08S2L21ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 30 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 136 W (Tc) | — |
| מארז | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Green Package) | — |
| Avalanche Tested | 100 % production-tested | — |
| Technology | Planar (OptiMOS) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold (Vgs(th)) | Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max]) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V] | — |
| Diode Reverse Recovery (trr) | [DATA_NEEDED: trr typ] | — |
| מספר פינים | 3 (Drain tab + Gate + Source) | 3 (Drain tab + Gate + Source) |
| Tape and Reel Packaging | Yes (T&R per IEC 60286-3) | — |
| Series | — | OptiMOS |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | — | 26 milliohm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (L series) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 56 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 136 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C |
| Maximum Junction Temperature | — | +175C |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| רמת MSL | — | 1 |