IPD80R600P7ATMA1 vs IPA60R180P7SXKSA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD80R600P7ATMA1 מאת Infineon ו IPA60R180P7SXKSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD80R600P7ATMA1 | IPA60R180P7SXKSA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +150 C | -55C to +150C (junction) |
| מארז | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 18 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 180 mOhm (max at 25C) |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 26 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |