IPL65R200CFD7AUMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPL65R200CFD7AUMA1 מאת Infineon ו IPD65R380E6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPL65R200CFD7AUMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS CFD7 | CoolMOS™ E6 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 14 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 81 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 0.2 ohm at VGS=10V, ID=5.2A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Technology | CoolMOS Superjunction (SJ) | Superjunction (CoolMOS™) |
| מארז | PG-VSON-4 | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg value] | — |
| Body Diode | Fast-recovery intrinsic | — |
| Gate-Source ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +150 °C |
| רמת MSL | — | 1 |