IPTC039N15NM5ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPTC039N15NM5ATMA1 מאת Infineon ו BSC076N04NDATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 - 150V 190A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPTC039N15NM5ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 3 |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 21 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 190 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 319 W | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.9 mOhm | — |
| Gate Charge Qg typical | 74 nC | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | 20 V | — |
| טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C (junction) | — |
| מארז | PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Cooling | Top-side cooled (case above PCB) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 C to +175 C |
| מארז / Case | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |