IQDH35N03LM5CGATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQDH35N03LM5CGATMA1 מאת Infineon ו ISC011N03L5SATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IQDH35N03LM5CGATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| מארז | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| טמפרטורת פעולה | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |