IRF540ZPBF vs IRFR3710ZTRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF540ZPBF מאת Infineon ו IRFR3710ZTRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRF540ZPBF | IRFR3710ZTRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF540ZPBF | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C | 36 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V | 26.5 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 42 nC | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25C | 92 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| טווח טמפרטורת צומת פעולה | -55 C to +175 C | — |
| מארז | TO-220AB (through-hole, 3-lead) | TO-252AA (DPAK) |
| סוג הרכבה | Through Hole | Surface Mount |
| מספר פינים | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Automotive Qualified | Yes (per datasheet description) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 56 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 18 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 140 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +175C |