IRFR1018ETRPBF vs IRFR5305TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR1018ETRPBF מאת Infineon ו IRFR5305TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFR1018ETRPBF | IRFR5305TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 79 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 8.4 mΩ | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 46 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | [DATA_NEEDED: Crss] | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) | 110 W (Tc) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C | -55 C to +175 C |
| מארז | TO-252AA (D-Pak) | TO-252AA (DPAK) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Lead-Free | Yes | — |
| רמת MSL | 1 | 1 |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | — | 65 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -2 V to -4 V |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 110 W |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 270 mJ |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |