IRFR3607TRPBF vs IRFR3806TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR3607TRPBF מאת Infineon ו IRFR3806TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFR3607TRPBF | IRFR3806TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 56 A | — |
| Calculated Die Drain Current | 80 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 56 nC | 22 nC |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 140 W | — |
| Thermal Resistance (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) | -55 C to +175 C |
| מארז | TO-252AA (DPAK) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (planar DMOS) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Avalanche SOA | Fully characterized | — |
| RoHS / Lead-Free | Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) | — |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 43 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 15.8 mOhm at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C | — | 71 W |
| מארז / Case | — | TO-252AA (DPAK) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Number of Units in IC | — | 1 |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix, lead-free) |
| Avalanche Rated | — | Yes (HEXFET family) |