IRS2005MTRPBF vs 1ED020I12B2XUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2005MTRPBF מאת Infineon ו 1ED020I12B2XUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRS2005MTRPBF IRS2005MTRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS2005MTRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS2005MTRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2005MTRPBF 1ED020I12B2XUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Number of Drivers 2 —
Maximum Offset Voltage 200 V —
Input Logic Non-Inverting —
Source Current (Typical) 0.29 A —
Sink Current (Typical) 0.6 A —
Supply Voltage VCC [DATA_NEEDED: VCC range] —
VCC UVLO Threshold Yes (per datasheet) —
VBS UVLO Threshold Yes (per datasheet) —
Bootstrap Driver Internal (integrated bootstrap diode) —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: t_on/t_off] —
Package Type 14-MLPQ (4x4 mm) with Exposed Pad —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה -40C to +125C (per datasheet) -40 °C to +125 °C
רמת MSL 2 MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
סטטוס RoHS Compliant —
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Isolation Technology — Coreless transformer (magnetic coupling)
Isolation Voltage (Vrms) — 4500 Vrms
Number of Channels — 1
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Propagation Delay (typ.) — 35 ns
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
מארז — PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
Creepage Distance — 8 mm
Compliance — RoHS compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר