ISC0703NLSATMA1 vs ISC0802NLSATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של ISC0703NLSATMA1 מאת Infineon ו ISC0802NLSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | ISC0703NLSATMA1 | ISC0802NLSATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 57 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 44 W | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS family) | OptiMOS 5 (Power MOSFET) |
| מארז | PG-TDSON-8 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (junction) | -55 C to +175 C |
| Standard Package Quantity | 5,000 (reel) | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS rating] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Part Number | — | ISC0802NLSATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 150 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 22 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.6 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 125 W |