K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WC-BCTD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WC-BCPB מאת Samsung Electronics ו K4A8G165WC-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WC-BCTD |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| קצב נתונים | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | 1.14 V to 1.26 V |
| ממשק | DDR4 (16-bit data bus) | — |
| מארז | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96FBGA |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | C-die (1Y nm-class process) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C | 0C to +95C |
| תכונות | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| ארגון | — | 512M x16 |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| CRC Function | — | Yes (write CRC) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| Data Mask | — | Yes (x16 DM) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |