K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WC-BCTD 비교
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Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WC-BCTD |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.31 | $41.20 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| 데이터 속도 | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | 1.14 V to 1.26 V |
| 인터페이스 | DDR4 (16-bit data bus) | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0C to +95C | 0C to +95C |
| 특징 | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| 메모리 구성 | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Die Revision | — | C-die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes (240 ohm resistor to GND) |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |