K6X0808C1D-GF55T vs K6X0808C1D-GF70000 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K6X0808C1D-GF55T מאת Samsung Electro-Mechanics ו K6X0808C1D-GF70000 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ פעילSamsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP
K6X0808C1D-GF70000 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K6X0808C1D-GF55T | K6X0808C1D-GF70000 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | DRAM | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| גודל זיכרון | 256 Kbit | 256 Kbit |
| ארגון | 32K x 8 | 32K x 8 bit |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| מתח אספקה | 5.0 V | — |
| ממשק | Parallel | Parallel |
| Process Technology | Full CMOS | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מארז | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Active Current | [DATA_NEEDED: active current] | — |
| Data Retention Voltage | Low data retention voltage supported (per datasheet) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Address Bus Width | 15 bit | 15 bit (A0-A14) |
| רוחב אפיק נתונים | 8 bit | 8 bit (tri-state I/O) |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tape & Reel (T suffix) | — |
| Supply Voltage - Min | — | 4.5 V |
| Supply Voltage - Max | — | 5.5 V |
| Technology | — | Low Power CMOS |
| Input/Output Levels | — | TTL compatible |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |