MPX2010GP vs MPX2010D השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של MPX2010GP מאת STMicroelectronics ו MPX2010D מאת STMicroelectronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר MPX2010GP MPX2010D
מותג STMicroelectronics STMicroelectronics
קטגוריה Pressure Sensors Pressure Sensors
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Pressure Type Vented Gauge Differential (Port 1 vs Port 2)
Operating Pressure Range 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI)
Maximum Overload Pressure [DATA_NEEDED: maximum overload pressure] —
Sensitivity (Full-Scale Span) 25 mV typical at 10 V excitation —
טווח מתח פלט 0 mV to 25 mV (10 V supply) —
Offset (Zero Pressure) 0 mV nominal —
Supply Voltage (Excitation) 10 V DC typical (max per datasheet) —
זרם אספקה 6 mA DC typical —
Response Time 1 ms typical —
Linearity [DATA_NEEDED: linearity %FS] 0.1% of full-scale (typical)
Temperature Compensation On-chip, calibrated —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C 0 C to +85 C
Storage Temperature Range -40 C to +125 C [DATA_NEEDED: storage temperature range]
Port Style Male, 0.19 inch (4.93 mm) tube, vented gauge —
מארז / Case 4-SIP Module (Case 344B-01) 4-SIP Module (Case 344-15)
סוג הרכבה Through-Hole (SIP) Through-Hole
Media Compatibility Dry gases (silicone gel isolation) —
סטטוס RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status from ST datasheet]
Maximum Overpressure — [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating]
סוג פלט — Analog Wheatstone Bridge (mV)
Output Voltage Span — 0 mV to 25 mV at 10V excitation
Sensitivity — 2.5 mV/kPa (nominal, at 10V excitation)
Excitation Voltage — 10 V (typical), 16 V (maximum)
מספר פינים — 4
On-Chip Temperature Compensation — Yes (laser trimmed)
Bridge Configuration — 4-arm piezoresistive Wheatstone
Sensor Family — MPX2010 / MPXV2010G / MPXM2010
Diaphragm Type — Single monolithic silicon

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר