MT41K64M16TW-107 AUT:J vs K4B4G1646E-BYK000 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT41K64M16TW-107 AUT:J מאת Micron Technology ו K4B4G1646E-BYK000 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT41K64M16TW-107 AUT:J - 1Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K64M16TW-107 AUT:J ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | MT41K64M16TW-107 AUT:J | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 1 Gbit | 4 Gbit |
| ארגון | 64M x 16 | 256M x 16 |
| ממשק | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Access Time | 20 ns | 1.25 ns |
| מתח אספקה | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible | — |
| מארז | 96-FBGA (8 x 14 mm) | 96-FBGA (BYK) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | AUT (automotive) | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| קצב נתונים | 1866 MT/s (DDR3L-1866) | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray (T/R per listing) | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Number of Banks | — | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| תכונות | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |