MX30LF4G18AC-TI-T vs MT29F4G08ABADAWP-IT:D השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MX30LF4G18AC-TI-T מאת Macronix ו MT29F4G08ABADAWP-IT:D מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT29F4G08ABADAWP-IT:D - 4Gbit SLC NAND Flash Parallel x8 | Micron
MT29F4G08ABADAWP-IT:D ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | MX30LF4G18AC-TI-T | MT29F4G08ABADAWP-IT:D |
|---|---|---|
| מותג | Macronix | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | Non-volatile NAND Flash (SLC) | FLASH - NAND (SLC) |
| Density | 4 Gbit (512 Mbyte) | — |
| ארגון | 512M x 8 bit | — |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| ממשק | Parallel (asynchronous), ONFI 1.0 compliant | Parallel (byte-wide, x8) |
| רוחב אפיק נתונים | 8 bit | — |
| Access Time (tRC) | 20 ns (typical) | 25 ns |
| Page Size | 2048 byte + 64 byte spare area | 2048 + 64 bytes (or 4096 + 128 bytes in ONFI 2.1) |
| Block Size | 64 pages (128 KB + 4 KB spare) | 64 pages x 4 KB |
| Required ECC | 4-bit ECC per 528-byte sector | — |
| Program Time (typical) | 300 us per page | — |
| Erase Time (typical) | 2 ms per block | — |
| Data Retention | 10 years | — |
| Endurance (P/E Cycles) | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | 100,000 typical (SLC) |
| טמפרטורת פעולה | -40 C to +85 C (industrial) | -40 C to +85 C (Industrial) |
| מארז | 48-pin TSOP-I (12 mm x 20 mm) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| גודל זיכרון | — | 4 Gbit (512M x 8) |
| Memory Organization | — | 512M x 8 |
| ONFI Version | — | ONFI 2.1 |
| מארז / Case | — | 48-TFSOP (0.724", 18.40 mm width) |
| Planes per Die | — | 2 |
| Packaging | — | Tray |