1EDN7146GXTMA1 vs 1EDN7136GXTMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDN7146GXTMA1 द्वारा Infineon और 1EDN7136GXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1EDN7146GXTMA1 | 1EDN7136GXTMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Driver Type | High-side, single-channel | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Logic Type | Non-Inverting | — |
| Input Type | TDI (Truly Differential Inductor) | — |
| Maximum Bootstrap Voltage (VB) | 200 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 20 V | — |
| Source/Sink Drive Current | 500 mA / 500 mA | — |
| Gate Drive Voltage | Up to 11 V (typ) | — |
| Propagation Delay (typ) | 40 ns | — |
| Rise/Fall Time (typ) | [DATA_NEEDED: rise/fall time] | — |
| UVLO (VCC) | Yes | — |
| UVLO (VB) | Yes | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| पैकेज | PG-VSON-10-4 | PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Product Type | — | Low-side gate driver IC |
| Configuration | — | Single channel, non-inverting |
| Peak Source Current | — | 4 A |
| Peak Sink Current | — | 8 A |
| Target Switch | — | GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET |
| Input Logic | — | TTL/CMOS compatible |
| UVLO | — | Yes (VDD under-voltage lockout) |
| Propagation Delay | — | Sub-nanosecond class |
| Lead-free | — | Yes |
| Input Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD range V] |
| Output Voltage (GaN gate) | — | Approximately 6 V (regulated) |