1EDN7146GXTMA1 vs 1EDN7136GXTMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci 1EDN7146GXTMA1 disebabkan oleh Infineon dan 1EDN7136GXTMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr 1EDN7146GXTMA1 1EDN7136GXTMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Driver Type High-side, single-channel —
Number of Drivers 1 —
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) —
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated —
Suhu Operasi -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Kemasan PG-VSON-10-4 PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Aras MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Type — Low-side gate driver IC
Configuration — Single channel, non-inverting
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Target Switch — GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET
Input Logic — TTL/CMOS compatible
UVLO — Yes (VDD under-voltage lockout)
Propagation Delay — Sub-nanosecond class
Lead-free — Yes
Input Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD range V]
Output Voltage (GaN gate) — Approximately 6 V (regulated)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga