5CSEBA6U19A7N vs 5CSEBA5U19C7N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 5CSEBA6U19A7N द्वारा Intel और 5CSEBA5U19C7N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 5CSEBA6U19A7N | 5CSEBA5U19C7N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Cyclone V SE SoC FPGA | Cyclone V SE SoC FPGA |
| Device Variant | 5CSEA6 (U19) | — |
| Logic Elements | 110,000 | 85,000 |
| Hard Processor System | Dual ARM Cortex-A9 MPCore with CoreSight | Dual ARM Cortex-A9 MPCore with CoreSight |
| HPS Clock Frequency | 700 MHz | — |
| Core Voltage | 1.1 V | — |
| पैकेज | 484-pin UBGFA / UFBGA (19x19 mm) | 484-UBGA (UBGAmobile, 19x19 mm) |
| Operating Temperature Grade | Automotive AEC-Q100 | — |
| Supply Form | Tray | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| FPGA Architecture | SRAM-based, low-power process | — |
| Memory Blocks | M10K + MLAB embedded memory | — |
| DSP Blocks | Variable-precision DSP | Variable-precision, 18x18 / 27x27 multipliers |
| Peripherals | EMAC, USB, CAN, SPI, I2C, UART, NAND/NOR flash, DDR3 controller with ECC | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| HPS Maximum Frequency | — | 800 MHz per core |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0C to +85C (commercial, junction) |
| Speed Grade | — | -7 (standard) |
| Process Node | — | 28 nm low-power (TSMC) |
| Supply Voltage (Core) | — | 1.1 V typical |
| Embedded Memory | — | M10K + MLAB blocks, ~4,450 Kbits total |
| HPS Peripherals | — | EMAC, USB 2.0 OTG, NAND, DDR3, SPI, QSPI, I2C, UART |
| RoHS / Pb-free | — | Yes |
| Configuration Memory | — | External (active serial via HPS or FPGA) |
| MSL स्तर | — | 3 (per JEDEC J-STD-020, reflow 260C) |
| Block Pins (User I/O) | — | Approximately 66 user I/O pins |