BSC014N04LSIATMA1 vs BSC026N04LSATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC014N04LSIATMA1 द्वारा Infineon और BSC026N04LSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC014N04LSIATMA1 | BSC026N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) | Trench-gate OptiMOS™ 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 31 A | 23 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 96 W | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 2.5 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C | -55°C to +150°C |
| पैकेज | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) | PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Tradename | OptiMOS | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 2.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: max RDS(on)] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 63 W |
| Channel Type | — | N-Channel |