BSC014N04LSIATMA1 vs BSC050N03LSGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC014N04LSIATMA1 द्वारा Infineon और BSC050N03LSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC014N04LSIATMA1 | BSC050N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 96 W | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 2.5 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C | -55 C to +150 C |
| पैकेज | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Tradename | OptiMOS | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC050N03LSGATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 80 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | — | 5 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Channel Type | — | N-Channel |