BSC014N04LSTATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC014N04LSTATMA1 द्वारा Infineon और BSC034N06NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC014N04LSTATMA1 BSC034N06NSATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC014N04LSTATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-Channel Trench) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V 1.45 mΩ —
R DS(on) typical @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 115 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +150°C -55C to +150C
पैकेज PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 8 —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर MSL1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free Yes —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 74 W

डेटाशीट और संसाधन

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