BSC018N04LSGATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC018N04LSGATMA1 द्वारा Infineon और BSC027N10NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC018N04LSGATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय NRND
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (100V)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 30 A —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 125 W —
Power Dissipation (PD) @ TA=25°C 2.5 W —
RDS(on) Max @ VGS=10 V 1.8 mΩ —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: Tj min/max]
पैकेज PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant (Pb-free plating) Compliant
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
JEDEC Qualification Yes (qualified per JEDEC for target applications) —
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

डेटाशीट और संसाधन

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