BSC021N08NS5ATMA1 vs BSZ060NE2LSATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC021N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon और BSZ060NE2LSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 ✓ सक्रिय
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BSZ060NE2LSATMA1 BSZ060NE2LSATMA1 - 25V 44A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ060NE2LSATMA1 - 25V 44A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ060NE2LSATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC021N08NS5ATMA1 BSZ060NE2LSATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC021N08NS5ATMA1 BSZ060NE2LSATMA1
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) 226 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) 100 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) 2.1 mΩ —
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
Power Dissipation P_D (Tc=25°C) 214 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 °C to +175 °C —
पैकेज SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Total Gate Charge Q_G typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
R_thJC thermal resistance max [DATA_NEEDED: R_thJC] —
RoHS स्थिति Compliant (Pb-free) Compliant
MSL स्तर MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Delivery Form Tape & Reel (T&R) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 44 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 44 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 26 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C
Shipping Packaging — Tape & Reel

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