BSC021N08NS5ATMA1 vs BSZ060NE2LSATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC021N08NS5ATMA1 제조: Infineon 및 BSZ060NE2LSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSC021N08NS5ATMA1 BSZ060NE2LSATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.81 $0.27
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC021N08NS5ATMA1 BSZ060NE2LSATMA1
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) 226 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) 100 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) 2.1 mΩ —
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
Power Dissipation P_D (Tc=25°C) 214 W —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Total Gate Charge Q_G typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
R_thJC thermal resistance max [DATA_NEEDED: R_thJC] —
RoHS 상태 Compliant (Pb-free) Compliant
MSL 레벨 MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Delivery Form Tape & Reel (T&R) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 44 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 44 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 26 W
동작 온도 범위 — -55C to +150C
Shipping Packaging — Tape & Reel

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