BSC026N04LSATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC026N04LSATMA1 द्वारा Infineon और BSC050N04LSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 2.6mΩ MOSFET | Infineon

BSC026N04LSATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 2.6mΩ MOSFET | Infineon

BSC026N04LSATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC026N04LSATMA1 BSC050N04LSGATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 23 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 2.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: max RDS(on)] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 63 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +150°C -55C to +150C
पैकेज PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology Trench-gate OptiMOS™ 5 OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Channel Type N-Channel —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)
MSL स्तर — 1

डेटाशीट और संसाधन

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