BSC026N04LSATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC026N04LSATMA1 bằng Infineon và BSC050N04LSGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 2.6mΩ MOSFET | Infineon

BSC026N04LSATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 2.6mΩ MOSFET | Infineon

BSC026N04LSATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC026N04LSATMA1 BSC050N04LSGATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 23 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 2.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: max RDS(on)] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 63 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C -55C to +150C
Hộp PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology Trench-gate OptiMOS™ 5 OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Channel Type N-Channel —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)
Cấp MSL — 1

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá