BSC027N06LS5ATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC027N06LS5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC066N06NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 6.6mΩ OptiMOS | Infineon

BSC066N06NSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 6.6mΩ OptiMOS | Infineon

BSC066N06NSATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC027N06LS5ATMA1 BSC066N06NSATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 60 V trench-gate
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level 1.7 V (typ)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] 256 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 2.7 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 83 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +150°C —
पैकेज / केस PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 8 —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total Qg] —
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — 45 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 6.6 mΩ (max)
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC (typ)
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 46 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) — 1.3 °C/W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55°C to +150°C
पैकेज — PG-TDSON-8-6 (TDSON EP)
MSL स्तर — 1

डेटाशीट और संसाधन

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