BSC027N06LS5ATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC027N06LS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC066N06NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 6.6mΩ OptiMOS | Infineon

BSC066N06NSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 6.6mΩ OptiMOS | Infineon

BSC066N06NSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC027N06LS5ATMA1 BSC066N06NSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 60 V trench-gate
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level 1.7 V (typ)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] 256 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 2.7 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 83 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C —
پیکیج / کیس PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 8 —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total Qg] —
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — 45 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 6.6 mΩ (max)
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC (typ)
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 46 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) — 1.3 °C/W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55°C to +150°C
پیکیج — PG-TDSON-8-6 (TDSON EP)
MSL لیول — 1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں