BSC027N06LS5ATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC027N06LS5ATMA1 bằng Infineon và BSC066N06NSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 6.6mΩ OptiMOS | Infineon

BSC066N06NSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 6.6mΩ OptiMOS | Infineon

BSC066N06NSATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC027N06LS5ATMA1 BSC066N06NSATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 60 V trench-gate
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level 1.7 V (typ)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] 256 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 2.7 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 83 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C —
Hộp / Vỏ PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 8 —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total Qg] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — 45 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 6.6 mΩ (max)
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC (typ)
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 46 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) — 1.3 °C/W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55°C to +150°C
Hộp — PG-TDSON-8-6 (TDSON EP)
Cấp MSL — 1

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá