BSC0504NSIATMA1 vs IPD090N03LGATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC0504NSIATMA1 द्वारा Infineon और IPD090N03LGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 - 30V 21A N-MOSFET | Infineon | Power Switching

BSC0504NSIATMA1 - 30V 21A N-MOSFET | Infineon | Power Switching

BSC0504NSIATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD090N03LGATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD090N03LGATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC0504NSIATMA1 IPD090N03LGATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 OptiMOS 30V
पैकेज PG-TDSON-8-6 PG-TO252-3-11 (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन की संख्या 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
थर्मल रेज़िस्टेंस [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +175C (junction)
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
RoHS स्थिति unknown Compliant
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 40 A
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at 100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed Id]
Maximum Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 42 W
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V, Id=30A — 9 mOhm (typical)
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
MSL स्तर — 1 (unlimited)
Configuration — Single

डेटाशीट और संसाधन

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