BSC054N04NSGATMA1 vs IPD038N06NF2SATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC054N04NSGATMA1 द्वारा Infineon और IPD038N06NF2SATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 ✓ सक्रिय
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IPD038N06NF2SATMA1 IPD038N06NF2SATMA1 - 60V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPD038N06NF2SATMA1 - 60V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPD038N06NF2SATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC054N04NSGATMA1 IPD038N06NF2SATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC054N04NSGATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 81 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 17 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Power Dissipation at Tc=25C 57 W —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C —
पैकेज PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3 (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Lead-Free Reflow Yes —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 20 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.85 mΩ max
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Typical Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 68 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6700 pF
Output Capacitance (Coss) — 670 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 43 pF
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 107 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55°C to +175°C
Channel Mode — Enhancement

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