BSC060N10NS3GATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC060N10NS3GATMA1 द्वारा Infineon और ISC080N10NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 ✓ सक्रिय
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ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC060N10NS3GATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 14.9 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6 mOhm —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 125 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 3.5 V —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 C to +150 C —
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) —
पैकेज PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
हैलोजन फ्री [DATA_NEEDED: halogen status] Yes
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS value] —
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V at 36 µA
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

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