BSC0902NSIATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC0902NSIATMA1 द्वारा Infineon और BSC052N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC0902NSIATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 30V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 2.8 mOhm | — |
| Gate Charge QG(0V..10V) | 24 nC | — |
| Output Charge QOSS | 17 nC | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Built-in Diode | Yes (single with built-in diode) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Part Number | — | BSC052N08NS5ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 5 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5-3.0 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |