BSC094N06LS5ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC094N06LS5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC052N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC094N06LS5ATMA1 - 60V 9.4mΩ 47A N-Channel OptiMOS 5 | Infineon
BSC094N06LS5ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC094N06LS5ATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC094N06LS5ATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
| Technology | OptiMOS™ 5 (logic-level) | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 47 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 9.4 mΩ | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 36 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (unlimited) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5-3.0 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |