BSC265N10LSFGATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC265N10LSFGATMA1 द्वारा Infineon और BSC027N10NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 - 100V 40A N-Channel OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSC265N10LSFGATMA1 - 100V 40A N-Channel OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSC265N10LSFGATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC265N10LSFGATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय NRND
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 40 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 6.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 78 W —
Technology OptiMOS 2 (TrenchFET) OptiMOS 5 (100V)
पैकेज PG-TDSON-8-1 (TDSON-8) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +150 C (junction) [DATA_NEEDED: Tj min/max]
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
Series OptiMOS 2 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

डेटाशीट और संसाधन

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