BSP129H6906XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP129H6906XTSA1 द्वारा Infineon और BSP135H6906XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSP129H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP129H6906XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA 120 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 Ohm (max) —
Operating Mode Normally-On (Depletion) —
Gate-Source Pinch-Off Voltage [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value] —
पैकेज PG-SOT223-4 (SOT-223) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन की संख्या 3 functional + 1 tab (4 leads) —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: TJ max] -55C to +150C
ESD Protection Integrated Zener diodes on gate —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 (unlimited floor life) 1 (unlimited)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
RDS(on) Max at VGS=0V — 45 Ohm
Power Dissipation (PD) Max — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) — Depletion mode (normally-on)
पिन काउंट — 4 (3 leads + drain tab)
Technology — SIPMOS (planar high-voltage)
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record)
Lead-Free — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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