BSP135H6906XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP135H6906XTSA1 द्वारा Infineon और BSP125H6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSP135H6906XTSA1 | BSP125H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel Depletion Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 120 mA | — |
| RDS(on) Max at VGS=0V | 45 Ohm | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 1.8 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(off)) | Depletion mode (normally-on) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | — |
| पैकेज | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 4 (3 leads + drain tab) | — |
| Technology | SIPMOS (planar high-voltage) | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | 1 (Unlimited) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSP125H6327XTSA1 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W (Ta) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55C to +150C (TJ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Configuration | — | Single |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Qualification | — | Automotive / Industrial grade |