BSP135H6906XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP135H6906XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP125H6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP135H6906XTSA1 BSP125H6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 120 mA —
RDS(on) Max at VGS=0V 45 Ohm —
Power Dissipation (PD) Max 1.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) Depletion mode (normally-on) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C —
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 4 (3 leads + drain tab) —
Technology SIPMOS (planar high-voltage) SIPMOS (Small Signal Power MOSFET)
MSL لیول 1 (unlimited) 1 (Unlimited)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP125H6327XTSA1
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Configuration — Single
Channel Mode — Enhancement
Qualification — Automotive / Industrial grade

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں