BSZ018NE2LSIATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ018NE2LSIATMA1 द्वारा Infineon और BSC010NE2LSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1 - 25V N-Ch OptiMOS 1.8mOhm MOSFET | Infineon

BSZ018NE2LSIATMA1 - 25V N-Ch OptiMOS 1.8mOhm MOSFET | Infineon

BSZ018NE2LSIATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSZ018NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ018NE2LSIATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 69 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +150 C -55C to +150C (TJ)
पैकेज PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Infineon trench MOSFET) OptiMOS (Trench)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series / Family — OptiMOS 25V
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
पिन काउंट — 8
Gate Drive — Logic-level compatible
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

डेटाशीट और संसाधन

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