BSZ065N03LSATMA1 vs BSC050N03LSGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ065N03LSATMA1 द्वारा Infineon और BSC050N03LSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSZ065N03LSATMA1 | BSC050N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| पैकेज / केस | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C |
| MSL स्तर | 1 | 1 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| Part Number | — | BSC050N03LSGATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 80 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | — | 5 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| पैकेज | — | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Channel Type | — | N-Channel |