BTS426L1E3062AAUMA1 vs BTG7003A1EPWXUMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BTS426L1E3062AAUMA1 द्वारा Infineon और BTG7003A1EPWXUMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BTS426L1E3062AAUMA1 - 7A 12V Smart High-Side Switch | Infineon
BTS426L1E3062AAUMA1 ✓ सक्रियInfineon
BTG7003A1EPWXUMA2 - 15.7A PROFET Wire Guard High-Side Switch | Infineon
BTG7003A1EPWXUMA2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BTS426L1E3062AAUMA1 | BTG7003A1EPWXUMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | Classic PROFET 12V | — |
| फ़ंक्शन | Smart High-Side Power Switch | — |
| टोपोलॉजी | N-Channel Vertical Power FET with Charge Pump | — |
| आउटपुट की संख्या | 1 | — |
| आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन | High-Side | — |
| Typical On-State Resistance (RDS(on)) | 5 mΩ | — |
| Continuous Load Current | 7 A | — |
| Nominal Operating Voltage | 12 V (automotive) | — |
| Input Type | CMOS-compatible, ground-referenced | — |
| Diagnostic Output | Yes (ST pin, ground-referenced feedback) | — |
| Embedded Protections | Overload, Thermal Shutdown, Overvoltage Clamp, ESD | — |
| Technology | Smart SIPMOS, monolithic | — |
| पैकेज | PG-TO263-5-2 (DPAK-5, surface mount) | PG-TSDSO-14-22 (exposed pad) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: exact Tj limit per datasheet section] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 (per Classic PROFET 12V family) | — |
| Switch Type | — | High-Side Power Switch |
| Number of Channels | — | 1 |
| Configuration | — | 1:1 N-Channel |
| Maximum Continuous Load Current | — | 15.7 A |
| Operating Voltage Range | — | 6 V to 18 V |
| Load Dump Tolerance | — | 40 V |
| Idle Mode Quiescent Current | — | 50 µA |
| On-Resistance R_DS(on) | — | 10 mΩ (typ) |
| Control Input | — | Active High |
| Wire Protection | — | Integrated I²t |
| Functional Safety | — | ISO 26262 compliant |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40C to +150C (TJ) |