EDB5432BEBH-1DAUT-F-D vs EDB1332BDBH-1DAUT-F-D तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EDB5432BEBH-1DAUT-F-D द्वारा Micron Technology और EDB1332BDBH-1DAUT-F-D द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D EDB5432BEBH-1DAUT-F-D - 512Mb LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D - 512Mb LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D ✓ सक्रिय
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EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर EDB5432BEBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $2.16
मेमोरी प्रकार Mobile LPDDR2 SDRAM SDRAM - Mobile LPDDR2
मेमोरी आकार 512 Mbit 1 Gbit
संगठन 16M x 32 32M x 32
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.95 V 1.14 V to 1.95 V
Core Voltage 1.2 V (typical, LPDDR2) —
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
पैकेज 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) 134-VFBGA (10 x 11.5 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Automotive Automotive
Terminals 134 balls —
Terminal Form Ball (VFBGA) —
Package Shape Rectangular Rectangular
RoHS Code Yes (D suffix, lead-free) —
Part Life Cycle Code Active —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Access Time / CAS Latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Standard Qty per Reel/Tray [DATA_NEEDED: packaging standard quantity] —
Core Supply Voltage — 1.2 V
Access Mode — Single Bank Page Burst
Number of Terminals — 134
Packaging Suffix — -D (Dry Pack)
Moisture Sensitivity — Dry Pack (per -D suffix)

डेटाशीट और संसाधन

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